Raytheon разработает для военных США полупроводники нового поколения

Как уточняет The Defense Post, новые полупроводники должны обеспечить более высокую мощность и управление тепловым режимом в датчиках и других электронных устройствах, позволяя им функционировать при более высоких температурах и в экстремальных условиях.


Контракт состоит из двух этапов. На первом этапе Raytheon разработает и интегрирует в электронные устройства алмазные и алюминиево-нитридные полупроводниковые пленки. Затем основное внимание уделят оптимизации и доводке пластин для применения в датчиках.

Уникальные свойства полупроводников со сверхширокой запрещенной зоной позволят производить различную военную технику, в том числе сверхкомпактные сверхмощные радиочастотные переключатели, радиочастотные усилители высокой мощности для радаров, высоковольтные переключатели для силовой электроники, лазеры.

"Это будет значительный шаг вперед, который вновь произведет революцию в полупроводниковой технологии", – заявил президент подразделения передовых технологий Raytheon Колин Уилан.

Он напомнил, что Raytheon имеет обширный опыт разработки подобных материалов, в частности, по заказу американского военного ведомства компания производит полупроводники с широкой запрещенной зоной на основе нитрида галлия.

В современной силовой электронике уже получили распространение полупроводники на основе карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN). Основное отличие этих материалов от традиционного кремния заключается в ширине запрещенной зоны и, соответственно, в критической напряженности электрического поля. Именно эти отличия и определяют главное преимущество SiC и GaN – они могут работать с бо́льшим максимально допустимым напряжением. По данным ГК "Промэлектроника", сейчас этот параметр полевых транзисторов на основе GaN составляет 650 вольт, а на базе SiC – 1700 вольт.